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MOS選型技巧有哪些?這篇文章看完就都懂了!

2024-09-13 來(lái)源:廣東合科泰實(shí)業(yè)有限公司 作者:廣東合科泰實(shí)業(yè)有限公司 原創(chuàng)文章
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關(guān)鍵詞: MOS 選型技巧

MOS選型是很多采購(gòu)和工程師的必修課,這也是幫助公司選擇出最適合的產(chǎn)品,提高產(chǎn)品的市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)力的手段,本期,合科泰帶大家好好了解MOS管的選型技巧,全面學(xué)好選型知識(shí),做好元器件選型。


1、功率MOSFET選型第一步:P管,還是N管?

N溝道MOS管通常用于低壓側(cè)開(kāi)關(guān),特別是當(dāng)MOS管接地,而負(fù)載連接到干線電壓上時(shí)。P溝道MOS管常用于高壓側(cè)開(kāi)關(guān),即當(dāng)MOS管連接到總線且負(fù)載接地時(shí)。


2、確定額定電壓和電流

額定電壓(VDS)需大于電路中的實(shí)際電壓應(yīng)力,并留有足夠的電壓余量以確保安全。額定電流(ID)根據(jù)電路中的最大預(yù)期電流來(lái)選擇,包括連續(xù)模式下的電流和可能的脈沖尖峰電流。


3、選取封裝類型

封裝選取原則有溫升和熱設(shè)計(jì)是選取封裝最基本的要求,系統(tǒng)的尺寸限制,公司的生產(chǎn)工藝等等。


4、選取耐壓BVDSS

BVDSS指在漏極與源極之間的最大擊穿電壓。當(dāng)在柵極和源極之間施加一定電壓時(shí),源極和漏極之間的電壓突然增大,導(dǎo)致器件損壞的電壓值即為BVDSS。漏源擊穿電壓是MOS的一個(gè)重要參數(shù),用于衡量其承受電壓的能力。MOS管的耐壓BVDSS通常由其工作在的應(yīng)用環(huán)境來(lái)決定,不同的應(yīng)用場(chǎng)景對(duì)耐壓值有不同的要求。在選擇MOS管時(shí),需要確保其BVDSS大于電路中的最大工作電壓,并留有足夠的電壓余量以應(yīng)對(duì)可能的電壓波動(dòng)和峰值電壓。為了確保MOS管在惡劣環(huán)境下也能穩(wěn)定工作,建議選擇耐壓值略高于計(jì)算值的MOS管,或者采用并聯(lián)多個(gè)MOS管的方式以提高整體耐壓能力。


5、由驅(qū)動(dòng)電壓選取VTH

在MOS的驅(qū)動(dòng)電壓選取中,閾值電壓(VTH)是一個(gè)關(guān)鍵參數(shù)。VTH是MOSFET開(kāi)始導(dǎo)通所需的柵極電壓(VGS)的最小值,也被稱為開(kāi)啟電壓或門限電壓。VTH受多種因素影響,包括柵和襯底之間的功函數(shù)差、費(fèi)米能級(jí)、耗盡區(qū)的電荷密度以及柵氧化層單位面積電容等。此外,不同的MOSFET產(chǎn)品由于其制造工藝和設(shè)計(jì)的不同,VTH值也會(huì)有所差異。

確保VGS > VTH,為了確保MOSFET能夠正常導(dǎo)通,驅(qū)動(dòng)電壓(VGS)必須大于閾值電壓(VTH)。只有當(dāng)VGS超過(guò)VTH時(shí),MOSFET的溝道才會(huì)形成,允許電流通過(guò)。


考慮裕量,在實(shí)際應(yīng)用中,為了確保MOSFET的穩(wěn)定性和可靠性,通常會(huì)選擇比VTH稍大的驅(qū)動(dòng)電壓。這樣可以避免由于電壓波動(dòng)或噪聲等因素導(dǎo)致的誤導(dǎo)通或不穩(wěn)定現(xiàn)象。不同型號(hào)的MOSFET在數(shù)據(jù)手冊(cè)中會(huì)給出其VTH的典型值、最小值和最大值。在選取驅(qū)動(dòng)電壓時(shí),應(yīng)參考這些數(shù)據(jù)以確保所選電壓在MOSFET的規(guī)格范圍內(nèi)。


6、選取導(dǎo)通電阻RDSON

很多時(shí)候工程師關(guān)心RDSON,是因?yàn)镽DSON和導(dǎo)通損耗直接相關(guān),RDSON越小,功率MOSFET的導(dǎo)通損耗越小、效率越高、溫升越低。


7、選取開(kāi)關(guān)特性:Crss、Coss、Ciss;Qg、Qgd、Qoss

8、熱設(shè)計(jì)及校核

9、校核二極管特性

10、雪崩能量及UIS、dv/dt


還要評(píng)估開(kāi)關(guān)速度,考慮MOS管的開(kāi)關(guān)頻率和上升/下降時(shí)間。對(duì)于高頻應(yīng)用,需要選擇具有快速開(kāi)關(guān)特性的MOS管。柵極/漏極、柵極/源極及漏極/源極電容,這些電容會(huì)影響MOS管的開(kāi)關(guān)速度和效率。此外,也要關(guān)注內(nèi)部RG的大小、負(fù)載開(kāi)關(guān)和熱插撥工作在線性區(qū)的問(wèn)題、SOA特性,和EMI相關(guān)的參數(shù)等。


注意,中高壓MOSFET每個(gè)廠家命名不一樣,主要的參數(shù),工程師在產(chǎn)品設(shè)計(jì)時(shí)都會(huì)留有余量,選型時(shí)在工程師要求的范圍內(nèi)即可。優(yōu)先滿足第1、2、3、4、5點(diǎn)。如客戶的產(chǎn)品是電源,可以通過(guò)輸入電壓電流大小和輸出電壓電流大小來(lái)選定一定范圍的MOSFET。


通過(guò)對(duì)合科泰列舉的這些選型技巧學(xué)習(xí)掌握,您就可以系統(tǒng)地選擇出最適合特定應(yīng)用的MOS管。在選型過(guò)程中,需要綜合考慮各種因素,并進(jìn)行權(quán)衡和取舍,以確保所選MOS管能夠滿足應(yīng)用需求并具有良好的性能和可靠性。




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