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MOSFET工藝參數揭秘:合科泰的技術突圍之道

2025-07-10 來源: 作者:廣東合科泰實業有限公司 原創文章
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關鍵詞: MOSFET 工藝參數 氧化層厚度 溝道長度 摻雜濃度

MOSFET參數性能是選型的關鍵,而決定其性能的是關鍵工藝參數調控。作為國家級高新技術企業,合科泰深入平面與溝槽等工藝的協同,致力于在氧化層厚度、溝道長度和摻雜濃度等核心參數上突破。如今,合科泰的MOS管被廣泛地應用在汽車電子、消費電子當中。

氧化層厚度

氧化層厚度直接影響MOS的閾值電壓。氧化層越薄,閾值電壓越低,呈正相關;而隨之而來的,是器件的導通電阻越小,開關速度越快。同時,也會帶來柵極漏電流增大、可靠性降低等一些問題。在平面工藝中,合科泰通過化學氣相沉積技術,把氧化層厚度控制在12-15nm(如HKTD4N65),確保高耐壓下的長期穩定性;采用超薄氧化層設計的溝槽工藝大幅降低了導通電阻,以此滿足了高頻開關電源的嚴苛能效要求。

溝道長度

溝道長度是決定開關速度的關鍵參數。溝道長度過小的短溝道效應,會導致器件的漏電多、擊穿電壓低,同時還會導致制造難度及成本增加。因此需要在性能和成本之間控制權衡。合科泰引入ASM全自動光刻設備,結合SGT工藝深溝槽刻蝕技術,在先進光刻技術和工藝的加持下,可以盡可能地縮小短溝道效應影響。

摻雜濃度

摻雜濃度調控可以改變載流子的濃度和遷移率,進而精確地調整導通電阻、擊穿電壓等性能參數,這是MOS性能定制化的核心原理。超結工藝通過多層外延與深槽填充技術,實現較傳統平面MOS能效提升50%。如果在高壓MOS提高漏極區域的摻雜濃度,就可以增加擊穿電壓;要是在低導通電阻的MOS提高溝道區域的摻雜濃度,就可以降低導通電阻。

仿真技術

在實際制作MOS管之前,使用仿真技術可以對進行性能的模擬和預測。仿真技術模擬的過程可以縮短研發周期,還可以降低成本和發現潛在的問題。除了仿真技術外,合科泰等廠商還會利用X-RAY檢測機和超聲波掃描機獲取精準物理參數。

結語

MOS管工藝參數的深入了解,促使合科泰生產出可定制、高可靠的MOS關產品。合科泰搭建全流程質量控制獲取的ISO9001、ISO14001和IATF16949質量體系認證幫助合科泰MOSFET產品形成多種類、多層次、多種應用領域的完整布局MOSFET涵蓋從低壓到高壓、從消費電子到工業級應用提供兼具可靠性與成本優勢的解決方案。

 




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