AUIRFR3504Z-HXY_TO-252_場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝：TO-252 類別：場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：2500圓盤參數(shù)1：N溝道參數(shù)2：電壓VDS/40V 參數(shù)3：電流ID/60A 參數(shù)4：內(nèi)阻R/10mR 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢

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產(chǎn)品介紹

描述: 這款N溝道消費(fèi)級(jí)MOSFET采用TO-252-2L封裝，專為處理中高電壓、大電流應(yīng)用設(shè)計(jì)。器件額定電壓40V，能承載高達(dá)60A的連續(xù)電流，尤其適用于電源轉(zhuǎn)換器、電池管理系統(tǒng)及電機(jī)驅(qū)動(dòng)場(chǎng)合，提供卓越的導(dǎo)通性能和高效散熱，是現(xiàn)代電子設(shè)備構(gòu)建高性能功率控制系統(tǒng)的理想組件。

企業(yè)聯(lián)系方式

深圳市華軒陽(yáng)電子有限公司

高新企業(yè)

聯(lián) 系人：連先生
聯(lián)系電話：13823583904
聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號(hào)鼎誠(chéng)國(guó)際大廈2013-2014

AUIRFR3504Z-HXY_TO-252_場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝：TO-252 類別：場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：2500圓盤 參數(shù)1：N溝道 參數(shù)2：電壓VDS/40V 參數(shù)3：電流ID/60A 參數(shù)4：內(nèi)阻R/10mR 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢

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品牌：HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝：TO-252 類別：場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：2500圓盤參數(shù)1：N溝道參數(shù)2：電壓VDS/40V 參數(shù)3：電流ID/60A 參數(shù)4：內(nèi)阻R/10mR 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢