DMG6968UTS_TSSOP-8_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TSSOP-8 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：5000圓盤參數(shù)1：N+N溝道參數(shù)2：VDSS/20.0V 參數(shù)3：ID/7.5A 參數(shù)4：RDON/11.5mR 標價：歡迎咨詢

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產(chǎn)品介紹

DMG6968UTS 是一款高性能NN溝道MOSFET，采用節(jié)省空間的TSSOP-8封裝，特別適合于緊湊型電路設(shè)計。其核心參數(shù)包括最大漏源電壓VDSS為20V，可承載高達7.5A的連續(xù)漏極電流ID，且具備較低的導(dǎo)通電阻RD(on)為11.5mR，有助于降低功耗并提升系統(tǒng)效率。廣泛應(yīng)用于開關(guān)電源轉(zhuǎn)換、電機驅(qū)動控制、負載開關(guān)電路以及各類中低電壓、中等電流的電子設(shè)備中。

企業(yè)聯(lián)系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業(yè)

聯(lián) 系人：連先生
聯(lián)系電話：13823583904
聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014

DMG6968UTS_TSSOP-8_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TSSOP-8 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：5000圓盤 參數(shù)1：N+N溝道 參數(shù)2：VDSS/20.0V 參數(shù)3：ID/7.5A 參數(shù)4：RDON/11.5mR 標價：歡迎咨詢

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品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TSSOP-8 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：5000圓盤參數(shù)1：N+N溝道參數(shù)2：VDSS/20.0V 參數(shù)3：ID/7.5A 參數(shù)4：RDON/11.5mR 標價：歡迎咨詢