IPD30N06S2-15_TO-252-2L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：2500圓盤參數1：N溝道參數2：VDSS/60.0V 參數3：ID/50.0A 參數4：RDON/11.0mR 標價：歡迎咨詢

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產品介紹

IPD30N06S2-15 是一款高性能N溝道MOS管，封裝類型為節省空間的TO-252-2L。它具備優異的電氣參數最高漏源電壓VDSS高達60V，能夠承受50A的連續漏極電流，展現卓越的負載承載能力。更值得關注的是，其導通電阻僅11mR，有助于顯著降低功耗與提高系統效能。此款MOS管適用于各類開關電源、馬達驅動控制以及高效節能電子設備，是高端電源管理和電路設計的理想之選。

企業聯系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業

聯系人：連先生
聯系電話：13823583904
聯系地址：深圳市福田區中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014

IPD30N06S2-15_TO-252-2L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：2500圓盤 參數1：N溝道 參數2：VDSS/60.0V 參數3：ID/50.0A 參數4：RDON/11.0mR 標價：歡迎咨詢

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品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：2500圓盤參數1：N溝道參數2：VDSS/60.0V 參數3：ID/50.0A 參數4：RDON/11.0mR 標價：歡迎咨詢