NTD4858N_TO-252-2L_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：2500圓盤參數(shù)1：N溝道參數(shù)2：VDSS/30.0V 參數(shù)3：ID/80.0A 參數(shù)4：RDON/5.0mR 標(biāo)價：歡迎咨詢

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產(chǎn)品介紹

NTD4858N 是一款高性能N溝道MOSFET，采用標(biāo)準(zhǔn)TO-252-2L封裝，適合于廣泛的電源管理和功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用。它具備30V的最大漏源電壓VDSS，并能承載高達(dá)80A的連續(xù)漏極電流ID，確保在高功率狀態(tài)下穩(wěn)定運(yùn)行。此外，該器件的核心優(yōu)勢在于其超低的導(dǎo)通電阻RD(on)僅為5.5mΩ，有效減小系統(tǒng)功耗，提升整體效率。NTD4858N MOS管是電機(jī)驅(qū)動、開關(guān)電源及其他大電流場景的理想選擇，以其卓越性能助力實現(xiàn)高效、穩(wěn)定的電路設(shè)計。

企業(yè)聯(lián)系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業(yè)

聯(lián) 系人：連先生
聯(lián)系電話：13823583904
聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014

NTD4858N_TO-252-2L_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：2500圓盤 參數(shù)1：N溝道 參數(shù)2：VDSS/30.0V 參數(shù)3：ID/80.0A 參數(shù)4：RDON/5.0mR 標(biāo)價：歡迎咨詢

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品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：2500圓盤參數(shù)1：N溝道參數(shù)2：VDSS/30.0V 參數(shù)3：ID/80.0A 參數(shù)4：RDON/5.0mR 標(biāo)價：歡迎咨詢