NTD4860N_TO-252-2L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：2500圓盤參數1：N溝道參數2：VDSS/30.0V 參數3：ID/80.0A 參數4：RDON/5.0mR 標價：歡迎咨詢

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產品介紹

NTD4860N 是一款高性能N溝道MOS管，采用TO-252-2L封裝形式，專為應對高功率、大電流應用設計。該器件提供30V的最大漏源電壓VDSS，并能承載高達80A的連續漏極電流ID，確保在嚴苛工作條件下也能維持穩定性能。其特色在于超低的導通電阻RD(on)，僅為5.5mΩ，從而顯著降低系統損耗，提升整體效率。非常適合應用于電源轉換、電機驅動等領域，以卓越的電氣性能滿足客戶對高效率、大電流半導體元件的需求。

企業聯系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業

聯系人：連先生
聯系電話：13823583904
聯系地址：深圳市福田區中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014

NTD4860N_TO-252-2L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：2500圓盤 參數1：N溝道 參數2：VDSS/30.0V 參數3：ID/80.0A 參數4：RDON/5.0mR 標價：歡迎咨詢

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品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：2500圓盤參數1：N溝道參數2：VDSS/30.0V 參數3：ID/80.0A 參數4：RDON/5.0mR 標價：歡迎咨詢