SM480T9RL_TO-252-2L_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：2500圓盤參數(shù)1：N溝道參數(shù)2：VDSS/30.0V 參數(shù)3：ID/20.0A 參數(shù)4：RDON/15.0mR 標(biāo)價：歡迎咨詢

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產(chǎn)品介紹

SM480T9RL 是一款N溝道MOSFET，采用標(biāo)準(zhǔn)TO-252-2L封裝，專為高電流應(yīng)用場合設(shè)計(jì)。該器件支持30V的最大漏源電壓VDSS，能夠穩(wěn)定承載高達(dá)20A的連續(xù)漏極電流，顯示了其卓越的電流處理能力。其出眾之處在于僅15mΩ的超低導(dǎo)通電阻RD(on)，有效提高系統(tǒng)能效，降低損耗。廣泛應(yīng)用于電源轉(zhuǎn)換、大電流開關(guān)電路、電機(jī)驅(qū)動等行業(yè)，是尋求高功率、高效能半導(dǎo)體組件的理想選擇。

企業(yè)聯(lián)系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業(yè)

聯(lián) 系人：連先生
聯(lián)系電話：13823583904
聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014

SM480T9RL_TO-252-2L_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：2500圓盤 參數(shù)1：N溝道 參數(shù)2：VDSS/30.0V 參數(shù)3：ID/20.0A 參數(shù)4：RDON/15.0mR 標(biāo)價：歡迎咨詢

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品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：2500圓盤參數(shù)1：N溝道參數(shù)2：VDSS/30.0V 參數(shù)3：ID/20.0A 參數(shù)4：RDON/15.0mR 標(biāo)價：歡迎咨詢