PSMN4R3-30BL_TO-252-2L_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：2500圓盤參數(shù)1：N溝道參數(shù)2：VDSS/30.0V 參數(shù)3：ID/100.0A 參數(shù)4：RDON/3.8mR 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢

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產(chǎn)品介紹

此款MOS管型號(hào)為PSMN4R3-30BL ，采用高效能的N溝道設(shè)計(jì)，封裝形式為緊湊型TO-252-2L，適合各類電路板空間需求。其核心參數(shù)出色，額定電壓VDSS高達(dá)30V，連續(xù)電流ID可達(dá)100A，確保穩(wěn)定工作流。尤為突出的是，其導(dǎo)通電阻僅為3.8mΩ，有效降低功耗并提升系統(tǒng)效率，是電源轉(zhuǎn)換、電機(jī)驅(qū)動(dòng)等應(yīng)用的理想選擇。

企業(yè)聯(lián)系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業(yè)

聯(lián) 系人：連先生
聯(lián)系電話：13823583904
聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號(hào)鼎誠國際大廈2013-2014

PSMN4R3-30BL_TO-252-2L_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：2500圓盤 參數(shù)1：N溝道 參數(shù)2：VDSS/30.0V 參數(shù)3：ID/100.0A 參數(shù)4：RDON/3.8mR 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢

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品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：2500圓盤參數(shù)1：N溝道參數(shù)2：VDSS/30.0V 參數(shù)3：ID/100.0A 參數(shù)4：RDON/3.8mR 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢