IRLR6225_TO-252-2L_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：2500圓盤參數(shù)1：N溝道參數(shù)2：VDSS/20.0V 參數(shù)3：ID/80.0A 參數(shù)4：RDON/3.5mR 標(biāo)價：歡迎咨詢

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產(chǎn)品介紹

IRLR6225 是一款N溝道MOSFET，采用標(biāo)準(zhǔn)TO-252-2L封裝，專為高電流應(yīng)用設(shè)計。該器件具有20V的漏源電壓(VDSS)，能夠支持高達80A的連續(xù)漏極電流(ID)，并具備業(yè)界領(lǐng)先的3.5mΩ導(dǎo)通電阻(RD(on))，確保在大電流條件下實現(xiàn)極低的功率損耗和卓越的能效表現(xiàn)。廣泛應(yīng)用于開關(guān)電源、電動車充電系統(tǒng)等領(lǐng)域，是提升系統(tǒng)性能和節(jié)能效果的理想選擇。

企業(yè)聯(lián)系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業(yè)

聯(lián) 系人：連先生
聯(lián)系電話：13823583904
聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014

IRLR6225_TO-252-2L_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：2500圓盤 參數(shù)1：N溝道 參數(shù)2：VDSS/20.0V 參數(shù)3：ID/80.0A 參數(shù)4：RDON/3.5mR 標(biāo)價：歡迎咨詢

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品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：2500圓盤參數(shù)1：N溝道參數(shù)2：VDSS/20.0V 參數(shù)3：ID/80.0A 參數(shù)4：RDON/3.5mR 標(biāo)價：歡迎咨詢