FQD13N06L_TO-252-2L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：2500圓盤參數1：N溝道參數2：VDSS/60.0V 參數3：ID/20.0A 參數4：RDON/27.0mR 標價：歡迎咨詢

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產品介紹

FQD13N06L 是一款高性能N溝道MOSFET，采用緊湊型TO-252-2L封裝，適合各種空間受限的設計需求。器件能在60V的最大漏源電壓(VDSS)下，持續輸出20A的漏極電流(ID)，特別適用于高電壓、大電流應用環境。其27mΩ的低導通電阻保證了高能效與低功耗表現，被廣泛應用于電源轉換、電機驅動等領域，是您實現高效、穩定電子系統的優質組件。

企業聯系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業

聯系人：連先生
聯系電話：13823583904
聯系地址：深圳市福田區中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014

FQD13N06L_TO-252-2L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：2500圓盤 參數1：N溝道 參數2：VDSS/60.0V 參數3：ID/20.0A 參數4：RDON/27.0mR 標價：歡迎咨詢

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品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：2500圓盤參數1：N溝道參數2：VDSS/60.0V 參數3：ID/20.0A 參數4：RDON/27.0mR 標價：歡迎咨詢