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FQD13N10L_TO-252-2L_場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子)

品牌:HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝:TO-252-2L 類別:場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝:2500圓盤 參數(shù)1:N溝道 參數(shù)2:VDSS/100.0V 參數(shù)3:ID/15.0A 參數(shù)4:RDON/100.0mR 標(biāo)價(jià):歡迎咨詢

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產(chǎn)品介紹

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FQD13N10L N溝道MOS管采用TO-252-2L封裝,適用于100V高電壓環(huán)境下的中等電流應(yīng)用。該器件具有100V的最大漏源電壓(VDSS)和15A的連續(xù)漏極電流(ID),在高電壓系統(tǒng)中展現(xiàn)出穩(wěn)定可靠的性能。其導(dǎo)通電阻RD(on)為100mR,雖非超低阻值,但在滿足中等電流需求的同時(shí),保證了良好的性價(jià)比。廣泛應(yīng)用于電源轉(zhuǎn)換、電機(jī)驅(qū)動(dòng)、電池管理等方面,是追求綜合性能與成本控制的理想半導(dǎo)體器件。



企業(yè)聯(lián)系方式
  • 深圳市華軒陽(yáng)電子有限公司
  • 高新企業(yè)

  • 聯(lián) 系 人:連先生
  • 聯(lián)系電話:13823583904
  • 聯(lián)系地址:深圳市福田區(qū)中航路7-1號(hào)鼎誠(chéng)國(guó)際大廈2013-2014
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