IRFR110TRPBF_TO-252-2L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：2500圓盤參數1：N溝道參數2：VDSS/100.0V 參數3：ID/15.0A 參數4：RDON/100.0mR 標價：歡迎咨詢

分享到

產品介紹

IRFR110TRPBF N溝道MOS管采用TO-252-2L封裝，適用于100V高電壓系統中的中等電流應用。器件具有高達100V的漏源電壓(VDSS)和15A的連續漏極電流(ID)，確保在高壓條件下穩定工作。盡管導通電阻RD(on)為100mR，但在對應的電流負載下仍能保持適宜的能效。該MOS管被廣泛應用于開關電源、電機驅動、電池管理系統等領域，是工程師在設計過程中尋求性能與成本平衡的優選半導體元件。

企業聯系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業

聯系人：連先生
聯系電話：13823583904
聯系地址：深圳市福田區中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014

IRFR110TRPBF_TO-252-2L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：2500圓盤 參數1：N溝道 參數2：VDSS/100.0V 參數3：ID/15.0A 參數4：RDON/100.0mR 標價：歡迎咨詢

分享到

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：2500圓盤參數1：N溝道參數2：VDSS/100.0V 參數3：ID/15.0A 參數4：RDON/100.0mR 標價：歡迎咨詢