STD60NF06T4_TO-252-2L_場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：2500圓盤參數(shù)1：N溝道參數(shù)2：VDSS/60.0V 參數(shù)3：ID/50.0A 參數(shù)4：RDON/15.0mR 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢

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產(chǎn)品介紹

STD60NF06T4 是一款高性能N溝道MOSFET，采用TO-252-2L封裝，適配廣泛電路設(shè)計(jì)需求。該器件具有60V的最大漏源電壓(VDSS)，能承載高達(dá)50A的連續(xù)漏極電流(ID)，并展現(xiàn)出極低的15mΩ導(dǎo)通電阻(RD(on))，確保在大電流操作下仍保持高效率、低損耗。這款MOS管適用于各類高功率應(yīng)用場(chǎng)景，如電源轉(zhuǎn)換、電機(jī)驅(qū)動(dòng)、逆變器等，為您的設(shè)備提供強(qiáng)勁、穩(wěn)定的電流控制解決方案。

企業(yè)聯(lián)系方式

深圳市華軒陽(yáng)電子有限公司

高新企業(yè)

聯(lián) 系人：連先生
聯(lián)系電話：13823583904
聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號(hào)鼎誠(chéng)國(guó)際大廈2013-2014

STD60NF06T4_TO-252-2L_場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：2500圓盤 參數(shù)1：N溝道 參數(shù)2：VDSS/60.0V 參數(shù)3：ID/50.0A 參數(shù)4：RDON/15.0mR 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢

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品牌：HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：2500圓盤參數(shù)1：N溝道參數(shù)2：VDSS/60.0V 參數(shù)3：ID/50.0A 參數(shù)4：RDON/15.0mR 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢