SUD35N10-26P_TO-252-2L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：2500圓盤參數1：N溝道參數2：VDSS/100.0V 參數3：ID/50.0A 參數4：RDON/18.0mR 標價：歡迎咨詢

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產品介紹

SUD35N10-26P N溝道MOS管，采用緊湊型TO-252-2L封裝，專為高效率功率轉換設計。該器件擁有100V的出色漏源耐壓(VDSS)，并能穩定承載高達50A的連續漏極電流(ID)，充分體現了其卓越的功率處理性能。其導通電阻RD(on)為18mΩ，以較低的電阻損耗幫助提升系統能效，廣泛應用于開關電源、電池管理系統、電機驅動等場合，是高電壓、大電流應用的理想選擇。

企業聯系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業

聯系人：連先生
聯系電話：13823583904
聯系地址：深圳市福田區中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014

SUD35N10-26P_TO-252-2L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：2500圓盤 參數1：N溝道 參數2：VDSS/100.0V 參數3：ID/50.0A 參數4：RDON/18.0mR 標價：歡迎咨詢

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品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：2500圓盤參數1：N溝道參數2：VDSS/100.0V 參數3：ID/50.0A 參數4：RDON/18.0mR 標價：歡迎咨詢