SFT1342_TO-252-2L_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：2500圓盤參數(shù)1：P溝道參數(shù)2：VDSS/60.0V 參數(shù)3：ID/30.0A 參數(shù)4：RDON/48.0mR 標(biāo)價：歡迎咨詢

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產(chǎn)品介紹

SFT1342 P溝道MOS管，采用緊湊型TO-252-2L封裝，適用于各類空間敏感且需高效能轉(zhuǎn)換的應(yīng)用。該器件擁有60V的高漏源電壓(VDSS)，并支持30A的連續(xù)漏極電流(ID)，確保在高壓環(huán)境下穩(wěn)定運行。其導(dǎo)通電阻RD(on)為48mΩ，盡管相對較高但仍能滿足部分對成本和尺寸有特定需求的電路設(shè)計，常見于電源管理、負(fù)載切換、低壓馬達(dá)驅(qū)動等場合，提供了一種性價比較高的MOS管解決方案。

企業(yè)聯(lián)系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業(yè)

聯(lián) 系人：連先生
聯(lián)系電話：13823583904
聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014

SFT1342_TO-252-2L_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：2500圓盤 參數(shù)1：P溝道 參數(shù)2：VDSS/60.0V 參數(shù)3：ID/30.0A 參數(shù)4：RDON/48.0mR 標(biāo)價：歡迎咨詢

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品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：2500圓盤參數(shù)1：P溝道參數(shù)2：VDSS/60.0V 參數(shù)3：ID/30.0A 參數(shù)4：RDON/48.0mR 標(biāo)價：歡迎咨詢