DMP3013SFV_DFN3X3-8L_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN3X3-8L 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：5000圓盤參數(shù)1：P溝道參數(shù)2：VDSS/30.0V 參數(shù)3：ID/55.0A 參數(shù)4：RDON/8.0mR 標(biāo)價：歡迎咨詢

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產(chǎn)品介紹

DMP3013SFV P溝道MOS管，采用超小型DFN3X3-8L封裝，專為高密度PCB布局設(shè)計，實現(xiàn)空間優(yōu)化。器件核心參數(shù)出色最大工作電壓VDSS為30V，可承受高達(dá)55A的連續(xù)漏極電流，彰顯強(qiáng)大電力處理能力；其引人注目的8mΩ超低導(dǎo)通電阻RD(on)，有助于顯著降低能耗，提升整體系統(tǒng)效能。尤其適用于大電流開關(guān)、電源管理及逆變器等領(lǐng)域，是高端電子產(chǎn)品理想的高性能MOS管解決方案。

企業(yè)聯(lián)系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業(yè)

聯(lián) 系人：連先生
聯(lián)系電話：13823583904
聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014

DMP3013SFV_DFN3X3-8L_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN3X3-8L 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：5000圓盤 參數(shù)1：P溝道 參數(shù)2：VDSS/30.0V 參數(shù)3：ID/55.0A 參數(shù)4：RDON/8.0mR 標(biāo)價：歡迎咨詢

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品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN3X3-8L 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：5000圓盤參數(shù)1：P溝道參數(shù)2：VDSS/30.0V 參數(shù)3：ID/55.0A 參數(shù)4：RDON/8.0mR 標(biāo)價：歡迎咨詢