FDMC8854_DFN3X3-8L_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN3X3-8L 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：5000圓盤參數(shù)1：N溝道參數(shù)2：VDSS/30.0V 參數(shù)3：ID/100.0A 參數(shù)4：RDON/4.0mR 標(biāo)價：歡迎咨詢

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產(chǎn)品介紹

型號FDMC8854 的N溝道MOS管采用現(xiàn)代化DFN3X3-8L封裝，小巧身形滿足各類緊湊型電路設(shè)計需求。這款器件性能強(qiáng)勁，額定電壓VDSS高達(dá)30V，連續(xù)電流ID可達(dá)100A，即使在高電壓大電流環(huán)境下也能展現(xiàn)卓越的穩(wěn)定性。其引人矚目的特點(diǎn)是僅4mΩ的極低導(dǎo)通電阻RD(on)，大大提升了整體系統(tǒng)的能效比，降低損耗，廣泛適用于電源轉(zhuǎn)換、電機(jī)驅(qū)動、快速開關(guān)控制等眾多領(lǐng)域，是打造高性能電子產(chǎn)品的理想半導(dǎo)體元件選擇。

企業(yè)聯(lián)系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業(yè)

聯(lián) 系人：連先生
聯(lián)系電話：13823583904
聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014

FDMC8854_DFN3X3-8L_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN3X3-8L 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：5000圓盤 參數(shù)1：N溝道 參數(shù)2：VDSS/30.0V 參數(shù)3：ID/100.0A 參數(shù)4：RDON/4.0mR 標(biāo)價：歡迎咨詢

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品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN3X3-8L 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：5000圓盤參數(shù)1：N溝道參數(shù)2：VDSS/30.0V 參數(shù)3：ID/100.0A 參數(shù)4：RDON/4.0mR 標(biāo)價：歡迎咨詢