MDV3604URH_DFN3X3-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN3X3-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000圓盤參數1：P溝道參數2：VDSS/30.0V 參數3：ID/32.0A 參數4：RDON/10.0mR 標價：歡迎咨詢

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產品介紹

MDV3604URH 是一款高性能P溝道MOSFET，采用小型化DFN3X3-8L封裝，專為高密度電路設計。器件具有30V的最大漏源電壓(VDSS)，可承載高達32A的連續漏極電流(ID)，并展現出極其出色的10mΩ導通電阻(RD(on))，確保在大電流工作條件下仍然保持高效能與低發熱。這款MOS管廣泛應用在電源轉換、馬達驅動、電池管理系統等場合，是實現高功率密度和節能設計的理想之選。

企業聯系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業

聯系人：連先生
聯系電話：13823583904
聯系地址：深圳市福田區中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014

MDV3604URH_DFN3X3-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN3X3-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000圓盤 參數1：P溝道 參數2：VDSS/30.0V 參數3：ID/32.0A 參數4：RDON/10.0mR 標價：歡迎咨詢

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品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN3X3-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000圓盤參數1：P溝道參數2：VDSS/30.0V 參數3：ID/32.0A 參數4：RDON/10.0mR 標價：歡迎咨詢