SI7218DN-T1-E3_DFN3X3-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN3X3-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000圓盤參數1：N+N溝道參數2：VDSS/30.0V 參數3：ID/20.0A 參數4：RDON/19.0mR 標價：歡迎咨詢

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產品介紹

SI7218DN-T1-E3 是一款采用了創新DFN3X3-8L封裝技術的高性能NN溝道MOS管。憑借其30V的漏源電壓VDSS和強大的20A連續電流ID能力，能在低壓高電流條件下穩定運作。特別值得關注的是其極低的導通電阻RD(on)僅有19mR，極大程度降低了系統損耗，提升了能效表現。此款MOS管廣泛應用于電源轉換、電機驅動、快速充電設備等高效率電源管理方案，是現代電子產品設計的理想之選。

企業聯系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業

聯系人：連先生
聯系電話：13823583904
聯系地址：深圳市福田區中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014

SI7218DN-T1-E3_DFN3X3-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN3X3-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000圓盤 參數1：N+N溝道 參數2：VDSS/30.0V 參數3：ID/20.0A 參數4：RDON/19.0mR 標價：歡迎咨詢

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品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN3X3-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000圓盤參數1：N+N溝道參數2：VDSS/30.0V 參數3：ID/20.0A 參數4：RDON/19.0mR 標價：歡迎咨詢