IRFHM8329PBF_DFN3X3-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN3X3-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000圓盤參數1：N溝道參數2：VDSS/30.0V 參數3：ID/100.0A 參數4：RDON/4.0mR 標價：歡迎咨詢

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產品介紹

IRFHM8329PBF MOS管采用先進的DFN3X3-8L封裝技術，是一款高效的N溝道MOSFET器件。其特性包括30V的最大漏源電壓VDSS，以及強大的100A連續電流ID承載能力，展現了出色的電力控制性能。此外，該器件具有的超低導通電阻RD(on)僅4mR，旨在大幅度降低能耗，提升系統能效，尤其適用于對功率密度和效率有較高要求的開關電源、馬達驅動、電池管理系統等領域，為您的高端電子設計提供堅實保障。

企業聯系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業

聯系人：連先生
聯系電話：13823583904
聯系地址：深圳市福田區中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014

IRFHM8329PBF_DFN3X3-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN3X3-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000圓盤 參數1：N溝道 參數2：VDSS/30.0V 參數3：ID/100.0A 參數4：RDON/4.0mR 標價：歡迎咨詢

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品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN3X3-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000圓盤參數1：N溝道參數2：VDSS/30.0V 參數3：ID/100.0A 參數4：RDON/4.0mR 標價：歡迎咨詢