SI7108DN-T1-GE3_DFN3X3-8L_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN3X3-8L 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：5000圓盤參數(shù)1：N溝道參數(shù)2：VDSS/20.0V 參數(shù)3：ID/60.0A 參數(shù)4：RDON/4.0mR 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢

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產(chǎn)品介紹

SI7108DN-T1-GE3 MOS管，采用業(yè)界領(lǐng)先的N溝道設(shè)計(jì)，封裝緊湊且高效——DFN3X3-8L規(guī)格，特別適用于空間有限的精密電路。該器件擁有20V的穩(wěn)定工作電壓VDSS，最大連續(xù)電流可達(dá)60A，展現(xiàn)出卓越的電流處理能力。尤為突出的是其超低的導(dǎo)通電阻僅4mR，旨在提升系統(tǒng)能效，減少損耗。此款MOS管適用于高功率密度應(yīng)用，包括但不限于電源轉(zhuǎn)換器、大電流開關(guān)控制器等，是追求高性能電子產(chǎn)品的必備元件。

企業(yè)聯(lián)系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業(yè)

聯(lián) 系人：連先生
聯(lián)系電話：13823583904
聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014

SI7108DN-T1-GE3_DFN3X3-8L_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN3X3-8L 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：5000圓盤 參數(shù)1：N溝道 參數(shù)2：VDSS/20.0V 參數(shù)3：ID/60.0A 參數(shù)4：RDON/4.0mR 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢

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品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN3X3-8L 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：5000圓盤參數(shù)1：N溝道參數(shù)2：VDSS/20.0V 參數(shù)3：ID/60.0A 參數(shù)4：RDON/4.0mR 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢