SI7309DN-T1-E3_DFN3X3-8L_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN3X3-8L 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：5000圓盤參數(shù)1：P溝道參數(shù)2：VDSS/60.0V 參數(shù)3：ID/15.0A 參數(shù)4：RDON/70.0mR 標價：歡迎咨詢

分享到

產(chǎn)品介紹

SI7309DN-T1-E3 是一款采用DFN3X3-8L封裝工藝的P溝道MOSFET，結(jié)構(gòu)緊湊且性能強勁。該器件支持高達60V的工作電壓VDSS，能有效處理15A連續(xù)電流，適應(yīng)多種高電壓、中等電流應(yīng)用環(huán)境。特別值得關(guān)注的是其70mΩ的低導通電阻RD(on)，有助于減少系統(tǒng)能量損耗并提升工作效率。無論是用于電源轉(zhuǎn)換、馬達驅(qū)動還是其他要求嚴格的應(yīng)用場合，SI7309DN-T1-E3 都將憑借出色電氣性能及可靠品質(zhì)，成為您的理想半導體解決方案。

企業(yè)聯(lián)系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業(yè)

聯(lián) 系人：連先生
聯(lián)系電話：13823583904
聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014

SI7309DN-T1-E3_DFN3X3-8L_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN3X3-8L 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：5000圓盤 參數(shù)1：P溝道 參數(shù)2：VDSS/60.0V 參數(shù)3：ID/15.0A 參數(shù)4：RDON/70.0mR 標價：歡迎咨詢

分享到

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN3X3-8L 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：5000圓盤參數(shù)1：P溝道參數(shù)2：VDSS/60.0V 參數(shù)3：ID/15.0A 參數(shù)4：RDON/70.0mR 標價：歡迎咨詢