SI7423DN-T1-E3_DFN3X3-8L_場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN3X3-8L 類別：場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：5000圓盤參數(shù)1：P溝道參數(shù)2：VDSS/30.0V 參數(shù)3：ID/40.0A 參數(shù)4：RDON/13.0mR 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢

分享到

產(chǎn)品介紹

為您精選SI7423DN-T1-E3 P溝道MOSFET，采用緊湊型DFN3X3-8L封裝，專為現(xiàn)代高性能電子設(shè)備設(shè)計(jì)，力求空間利用率和熱性能的最佳平衡。本器件關(guān)鍵特性包括最高擊穿電壓VDSS達(dá)到30V，可穩(wěn)定承載40A連續(xù)電流，尤其突出的是僅有13mΩ的超低導(dǎo)通電阻，確保高效能、低功耗運(yùn)行。廣泛應(yīng)用于電源轉(zhuǎn)換、馬達(dá)驅(qū)動(dòng)以及各種電流控制場(chǎng)合，助您輕松實(shí)現(xiàn)電路設(shè)計(jì)優(yōu)化與性能升級(jí)。

企業(yè)聯(lián)系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業(yè)

聯(lián) 系人：連先生
聯(lián)系電話：13823583904
聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號(hào)鼎誠(chéng)國(guó)際大廈2013-2014

SI7423DN-T1-E3_DFN3X3-8L_場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN3X3-8L 類別：場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：5000圓盤 參數(shù)1：P溝道 參數(shù)2：VDSS/30.0V 參數(shù)3：ID/40.0A 參數(shù)4：RDON/13.0mR 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢

分享到

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN3X3-8L 類別：場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：5000圓盤參數(shù)1：P溝道參數(shù)2：VDSS/30.0V 參數(shù)3：ID/40.0A 參數(shù)4：RDON/13.0mR 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢