SI7615CDN-T1-GE3_DFN3X3-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN3X3-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000圓盤參數1：P溝道參數2：VDSS/20.0V 參數3：ID/48.0A 參數4：RDON/7.5mR 標價：歡迎咨詢

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產品介紹

SI7615CDN-T1-GE3 P溝道MOS管，采用緊湊型DFN3X3-8L封裝設計，旨在優化電路布局并增強散熱性能。器件具備20V的額定電壓VDSS和高達48A的連續漏極電流ID，確保在大電流環境下的穩定運作。其導通電阻RD(on)低至7.5mΩ，有效降低傳導損耗，提升整體工作效率，特別適用于電源轉換、電池管理系統等對能效要求高的場景。SI7615CDN-T1-GE3 MOS管，憑借其出色的電流承載能力和低阻特性，成為現代高效能電子設備的優選半導體元件。

企業聯系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業

聯系人：連先生
聯系電話：13823583904
聯系地址：深圳市福田區中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014

SI7615CDN-T1-GE3_DFN3X3-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN3X3-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000圓盤 參數1：P溝道 參數2：VDSS/20.0V 參數3：ID/48.0A 參數4：RDON/7.5mR 標價：歡迎咨詢

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品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN3X3-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000圓盤參數1：P溝道參數2：VDSS/20.0V 參數3：ID/48.0A 參數4：RDON/7.5mR 標價：歡迎咨詢