NVTFS4C13N_DFN3X3-8L_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN3X3-8L 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：5000圓盤參數(shù)1：N溝道參數(shù)2：VDSS/30.0V 參數(shù)3：ID/60.0A 參數(shù)4：RDON/6.0mR 標(biāo)價：歡迎咨詢

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產(chǎn)品介紹

NVTFS4C13N N溝道MOSFET采用小型化DFN3X3-8L封裝，專為高集成度電路設(shè)計，體積小但性能強勁。該器件具有30V的電壓額定值（VDSS），并能在高功率條件下承載60A的連續(xù)漏極電流，展現(xiàn)出卓越的電流承載力。其導(dǎo)通電阻低至6mΩ（RD(on)），有助于降低系統(tǒng)損耗，提升整體能效。此款MOS管適用于電源轉(zhuǎn)換、電機驅(qū)動、高功率開關(guān)電路等各種高電流與高效率應(yīng)用場合。

企業(yè)聯(lián)系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業(yè)

聯(lián) 系人：連先生
聯(lián)系電話：13823583904
聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014

NVTFS4C13N_DFN3X3-8L_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN3X3-8L 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：5000圓盤 參數(shù)1：N溝道 參數(shù)2：VDSS/30.0V 參數(shù)3：ID/60.0A 參數(shù)4：RDON/6.0mR 標(biāo)價：歡迎咨詢

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品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN3X3-8L 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：5000圓盤參數(shù)1：N溝道參數(shù)2：VDSS/30.0V 參數(shù)3：ID/60.0A 參數(shù)4：RDON/6.0mR 標(biāo)價：歡迎咨詢