RZE002P02TL_SOT-523_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOT-523 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：3000圓盤參數(shù)1：P溝道參數(shù)2：VDSS/20.0V 參數(shù)3：ID/0.7A 參數(shù)4：RDON/260.0mR 標價：歡迎咨詢

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產(chǎn)品介紹

RZE002P02TL 是一款P溝道MOSFET，采用超小型SOT-523封裝，專為便攜式和空間敏感型電子設(shè)備設(shè)計。器件規(guī)格包括最大漏源電壓(VDSS)為20V，能夠承載0.7A的漏極電流(ID)，并具有260mR的導(dǎo)通電阻(RD(on))，在低電壓、小電流應(yīng)用中展現(xiàn)優(yōu)秀性能。這款MOS管適合應(yīng)用于電源管理、電池保護電路、邏輯電平轉(zhuǎn)換等領(lǐng)域，是提升系統(tǒng)效能和精簡空間的理想選擇。

企業(yè)聯(lián)系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業(yè)

聯(lián) 系人：連先生
聯(lián)系電話：13823583904
聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014

RZE002P02TL_SOT-523_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOT-523 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：3000圓盤 參數(shù)1：P溝道 參數(shù)2：VDSS/20.0V 參數(shù)3：ID/0.7A 參數(shù)4：RDON/260.0mR 標價：歡迎咨詢

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品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOT-523 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：3000圓盤參數(shù)1：P溝道參數(shù)2：VDSS/20.0V 參數(shù)3：ID/0.7A 參數(shù)4：RDON/260.0mR 標價：歡迎咨詢