DMN2004TK_SOT-523_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOT-523 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：3000圓盤參數(shù)1：N溝道參數(shù)2：VDSS/20.0V 參數(shù)3：ID/0.8A 參數(shù)4：RDON/100.0mR 標價：歡迎咨詢

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產(chǎn)品介紹

DMN2004TK 是一款采用精巧SOT-523封裝工藝的高品質(zhì)N溝道MOSFET。該器件具有卓越的耐壓性能，VDSS高達20V，并提供強大的電流承載能力，最大連續(xù)電流可達ID0.8A。其優(yōu)異的導通電阻僅為100mΩ，顯著降低功耗并提高轉(zhuǎn)換效率。此款MOS管特別適用于空間有限的電子設(shè)備，如充電器、電源管理模塊和消費類電子產(chǎn)品中，作為理想的開關(guān)元件或負載驅(qū)動組件。

企業(yè)聯(lián)系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業(yè)

聯(lián) 系人：連先生
聯(lián)系電話：13823583904
聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014

DMN2004TK_SOT-523_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOT-523 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：3000圓盤 參數(shù)1：N溝道 參數(shù)2：VDSS/20.0V 參數(shù)3：ID/0.8A 參數(shù)4：RDON/100.0mR 標價：歡迎咨詢

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品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOT-523 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：3000圓盤參數(shù)1：N溝道參數(shù)2：VDSS/20.0V 參數(shù)3：ID/0.8A 參數(shù)4：RDON/100.0mR 標價：歡迎咨詢