Si2323CDS-T1-GE3_SOT-23_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOT-23 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：3000圓盤參數(shù)1：P溝道參數(shù)2：VDSS/20.0V 參數(shù)3：ID/5.0A 參數(shù)4：RDON/30.0mR 標(biāo)價：歡迎咨詢

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產(chǎn)品介紹

Si2323CDS-T1-GE3 是一款P溝道MOSFET，采用緊湊型SOT-23封裝，特別適合現(xiàn)代微小電子設(shè)備設(shè)計。該器件規(guī)格出色最大工作電壓VDSS為20V，能夠承載5A的連續(xù)漏極電流，確保穩(wěn)定運行；其導(dǎo)通電阻RD(on)低至30mΩ，旨在最大程度減少能耗，提升系統(tǒng)效率。廣泛應(yīng)用在電源轉(zhuǎn)換、負(fù)載開關(guān)控制、電池保護等方面，是您實現(xiàn)高集成度與節(jié)能目標(biāo)的理想MOS管解決方案。

企業(yè)聯(lián)系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業(yè)

聯(lián) 系人：連先生
聯(lián)系電話：13823583904
聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014

Si2323CDS-T1-GE3_SOT-23_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOT-23 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：3000圓盤 參數(shù)1：P溝道 參數(shù)2：VDSS/20.0V 參數(shù)3：ID/5.0A 參數(shù)4：RDON/30.0mR 標(biāo)價：歡迎咨詢

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品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOT-23 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：3000圓盤參數(shù)1：P溝道參數(shù)2：VDSS/20.0V 參數(shù)3：ID/5.0A 參數(shù)4：RDON/30.0mR 標(biāo)價：歡迎咨詢