DMN6140L_SOT-23_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOT-23 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：3000圓盤參數(shù)1：N溝道參數(shù)2：VDSS/60.0V 參數(shù)3：ID/3.0A 參數(shù)4：RDON/72.0mR 標價：歡迎咨詢

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產(chǎn)品介紹

DMN6140L N溝道MOS管采用精巧的SOT-23封裝，特別適應(yīng)現(xiàn)代電子產(chǎn)品的小型化需求。本器件性能優(yōu)越，擁有60V的最大漏源電壓(VDSS)，可承受高達3A的連續(xù)電流，同時配備72mΩ的低導(dǎo)通電阻，確保在高功率應(yīng)用中展現(xiàn)極佳的能效表現(xiàn)。廣泛應(yīng)用于電源轉(zhuǎn)換器、電機驅(qū)動、開關(guān)電路設(shè)計等多種場景，以強大的性能與穩(wěn)定的品質(zhì)，賦能您的電路設(shè)計，實現(xiàn)卓越性能與節(jié)能效果的雙重提升。

企業(yè)聯(lián)系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業(yè)

聯(lián) 系人：連先生
聯(lián)系電話：13823583904
聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014

DMN6140L_SOT-23_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOT-23 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：3000圓盤 參數(shù)1：N溝道 參數(shù)2：VDSS/60.0V 參數(shù)3：ID/3.0A 參數(shù)4：RDON/72.0mR 標價：歡迎咨詢

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品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOT-23 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：3000圓盤參數(shù)1：N溝道參數(shù)2：VDSS/60.0V 參數(shù)3：ID/3.0A 參數(shù)4：RDON/72.0mR 標價：歡迎咨詢