FDN537N_SOT-23_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOT-23 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：3000圓盤參數1：N溝道參數2：VDSS/30.0V 參數3：ID/5.8A 參數4：RDON/22.0mR 標價：歡迎咨詢

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產品介紹

FDN537N 是一款N溝道MOSFET，采用緊湊型SOT-23封裝，專為現代高功率密度電子設計。該器件具有30V的漏源電壓(VDSS)，可承載最大5.8A的漏極電流(ID)，并具備出色的導通性能，導通電阻低至22mR(RD(on))。廣泛應用于開關電源轉換、電機驅動及各種高電流、高效能的電子系統(tǒng)，FDN537N 憑借其卓越的電流處理能力和優(yōu)良能效，成為電路設計師們的可靠選擇。

企業(yè)聯(lián)系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業(yè)

聯(lián) 系人：連先生
聯(lián)系電話：13823583904
聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014

FDN537N_SOT-23_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOT-23 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：3000圓盤 參數1：N溝道 參數2：VDSS/30.0V 參數3：ID/5.8A 參數4：RDON/22.0mR 標價：歡迎咨詢

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品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOT-23 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：3000圓盤參數1：N溝道參數2：VDSS/30.0V 參數3：ID/5.8A 參數4：RDON/22.0mR 標價：歡迎咨詢