VN2110_SOT-23_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOT-23 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：3000圓盤參數(shù)1：N溝道參數(shù)2：VDSS/100.0V 參數(shù)3：ID/0.2A 參數(shù)4：RDON/2800.0mR 標價：歡迎咨詢

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產(chǎn)品介紹

VN2110 N溝道MOS管采用小型SOT-23封裝形式，具有優(yōu)良的焊接性和空間利用率。該器件額定電壓VDSS高達100V，適用于高壓小電流應用環(huán)境，可提供0.2A的穩(wěn)定漏極電流ID。其導通電阻RD(on)為2800mΩ，盡管數(shù)值較大，但依舊適用于某些需要精細控制和低功率消耗的場景，如信號切換、電源管理或邏輯電平轉(zhuǎn)換。VN2110 MOS管是適用于特定設計需求的理想半導體元件。

企業(yè)聯(lián)系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業(yè)

聯(lián) 系人：連先生
聯(lián)系電話：13823583904
聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014

VN2110_SOT-23_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOT-23 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：3000圓盤 參數(shù)1：N溝道 參數(shù)2：VDSS/100.0V 參數(shù)3：ID/0.2A 參數(shù)4：RDON/2800.0mR 標價：歡迎咨詢

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品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOT-23 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：3000圓盤參數(shù)1：N溝道參數(shù)2：VDSS/100.0V 參數(shù)3：ID/0.2A 參數(shù)4：RDON/2800.0mR 標價：歡迎咨詢