ZVN3310F_SOT-23_場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝：SOT-23 類(lèi)別：場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：3000圓盤(pán) 參數(shù)1：N溝道參數(shù)2：VDSS/100.0V 參數(shù)3：ID/0.2A 參數(shù)4：RDON/2800.0mR 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢

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產(chǎn)品介紹

ZVN3310F N溝道MOS管采用緊湊型SOT-23封裝，便于電路板布局，降低空間占用。該器件工作電壓VDSS高達(dá)100V，適用于高壓、小電流應(yīng)用，提供0.2A的漏極電流ID。盡管導(dǎo)通電阻RD(on)為2800mΩ，但在特定低功率、精細(xì)控制需求的場(chǎng)合，如信號(hào)切換、邏輯電平轉(zhuǎn)換及電源管理等方面仍發(fā)揮重要作用。ZVN3310F MOS管憑借其可靠性和靈活性，成為眾多設(shè)計(jì)項(xiàng)目中的理想半導(dǎo)體元件選擇。

企業(yè)聯(lián)系方式

深圳市華軒陽(yáng)電子有限公司

高新企業(yè)

聯(lián) 系人：連先生
聯(lián)系電話：13823583904
聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號(hào)鼎誠(chéng)國(guó)際大廈2013-2014

ZVN3310F_SOT-23_場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝：SOT-23 類(lèi)別：場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：3000圓盤(pán) 參數(shù)1：N溝道 參數(shù)2：VDSS/100.0V 參數(shù)3：ID/0.2A 參數(shù)4：RDON/2800.0mR 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢

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品牌：HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝：SOT-23 類(lèi)別：場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：3000圓盤(pán) 參數(shù)1：N溝道參數(shù)2：VDSS/100.0V 參數(shù)3：ID/0.2A 參數(shù)4：RDON/2800.0mR 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢