NDS332P_SOT-23_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOT-23 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：3000圓盤參數1：P溝道參數2：VDSS/20.0V 參數3：ID/2.3A 參數4：RDON/120.0mR 標價：歡迎咨詢

分享到

產品介紹

NDS332P MOS管，采用緊湊型SOT-23封裝形式，內建P溝道結構，性能卓越。該器件具有20V的最高漏源擊穿電壓(VDSS)，能在安全電壓范圍內穩定工作，同時提供高達2.3A的連續漏極電流(ID)，確保強大驅動能力。尤其值得關注的是其超低導通電阻RD(on)僅120mR，顯著降低了功率損耗并提升了整體系統效能。適用于電源管理、開關調節等電路設計，是您實現高效能應用的理想之選。

企業聯系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業

聯系人：連先生
聯系電話：13823583904
聯系地址：深圳市福田區中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014

NDS332P_SOT-23_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOT-23 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：3000圓盤 參數1：P溝道 參數2：VDSS/20.0V 參數3：ID/2.3A 參數4：RDON/120.0mR 標價：歡迎咨詢

分享到

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOT-23 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：3000圓盤參數1：P溝道參數2：VDSS/20.0V 參數3：ID/2.3A 參數4：RDON/120.0mR 標價：歡迎咨詢