2N7002E-T1-E3_SOT-23_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOT-23 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：3000圓盤參數(shù)1：N溝道參數(shù)2：VDSS/60.0V 參數(shù)3：ID/0.3A 參數(shù)4：RDON/1000.0mR 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢

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產(chǎn)品介紹

2N7002E-T1-E3 N溝道MOS管采用小巧的SOT-23封裝，特別適合空間有限的設(shè)計(jì)項(xiàng)目。該器件支持高達(dá)60V的漏源電壓(VDSS)，并能提供0.3A的連續(xù)漏極電流(ID)，適用于低至中等電流級(jí)別的應(yīng)用。其導(dǎo)通電阻RD(on)為1000mR，盡管相對(duì)較高，但在微小電流傳輸或信號(hào)控制方面表現(xiàn)出色。廣泛應(yīng)用于電源管理、邏輯電平轉(zhuǎn)換、低功率電路控制等領(lǐng)域，是微型化電子產(chǎn)品的理想選擇。

企業(yè)聯(lián)系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業(yè)

聯(lián) 系人：連先生
聯(lián)系電話：13823583904
聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號(hào)鼎誠國際大廈2013-2014

2N7002E-T1-E3_SOT-23_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOT-23 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：3000圓盤 參數(shù)1：N溝道 參數(shù)2：VDSS/60.0V 參數(shù)3：ID/0.3A 參數(shù)4：RDON/1000.0mR 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢

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品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOT-23 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：3000圓盤參數(shù)1：N溝道參數(shù)2：VDSS/60.0V 參數(shù)3：ID/0.3A 參數(shù)4：RDON/1000.0mR 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢