DMN62D0U_SOT-23_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOT-23 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：3000圓盤參數(shù)1：N溝道參數(shù)2：VDSS/60.0V 參數(shù)3：ID/0.3A 參數(shù)4：RDON/1000.0mR 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢

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產(chǎn)品介紹

DMN62D0U 是一款高性能N溝道MOSFET，采用小型化SOT-23封裝，適用于空間有限的設(shè)計(jì)項(xiàng)目。該器件擁有60V的高額定電壓VDSS，以及最大0.3A的連續(xù)漏極電流ID，同時(shí)具有出色的導(dǎo)通性能，導(dǎo)通電阻低至1000mR，有效降低功率損耗并提升系統(tǒng)效率。適用于各類電源轉(zhuǎn)換、負(fù)載開關(guān)及電機(jī)驅(qū)動等應(yīng)用場景，是您電路設(shè)計(jì)的理想選擇。

企業(yè)聯(lián)系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業(yè)

聯(lián) 系人：連先生
聯(lián)系電話：13823583904
聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014

DMN62D0U_SOT-23_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOT-23 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：3000圓盤 參數(shù)1：N溝道 參數(shù)2：VDSS/60.0V 參數(shù)3：ID/0.3A 參數(shù)4：RDON/1000.0mR 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢

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品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOT-23 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：3000圓盤參數(shù)1：N溝道參數(shù)2：VDSS/60.0V 參數(shù)3：ID/0.3A 參數(shù)4：RDON/1000.0mR 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢