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2N7002K-T1-GE3_SOT-23_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌:HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝:SOT-23 類別:場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝:3000圓盤 參數(shù)1:N溝道 參數(shù)2:VDSS/60.0V 參數(shù)3:ID/0.3A 參數(shù)4:RDON/1000.0mR 標(biāo)價:歡迎咨詢

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產(chǎn)品介紹

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2N7002K-T1-GE3 是一款高性能N溝道MOSFET,采用小型SOT-23封裝,特別適合于緊湊型電子設(shè)計。它能在60V的電壓下穩(wěn)定工作(VDSS),并支持0.3A的最大連續(xù)漏極電流(ID)。關(guān)鍵優(yōu)勢在于其超低的導(dǎo)通電阻RD(on)僅為1000mR,有效減少能量損耗,提升系統(tǒng)效率。廣泛應(yīng)用在電源轉(zhuǎn)換、負(fù)載開關(guān)以及低電壓、小電流的邏輯電平轉(zhuǎn)換等領(lǐng)域,是工程師們的理想組件之一。



企業(yè)聯(lián)系方式
  • 深圳市華軒陽電子有限公司
  • 高新企業(yè)

  • 聯(lián) 系 人:連先生
  • 聯(lián)系電話:13823583904
  • 聯(lián)系地址:深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
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