BSH111BKR_SOT-23_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOT-23 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：3000圓盤參數1：N溝道參數2：VDSS/60.0V 參數3：ID/0.3A 參數4：RDON/1000.0mR 標價：歡迎咨詢

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產品介紹

BSH111BKR 是一款N溝道MOSFET，采用小型SOT-23封裝，特別適用于緊湊型電子設計。該器件具有60V的漏源電壓額定值(VDSS)，可承載0.3A的連續漏極電流(ID)，且因其卓越的導通性能，導通電阻低至1000mR，有效減少能源損耗，提升系統效率。廣泛運用于電源轉換、開關控制、電機驅動等各種電路中，是您實現低功耗、高性能設計的理想半導體元件。

企業聯系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業

聯系人：連先生
聯系電話：13823583904
聯系地址：深圳市福田區中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014

BSH111BKR_SOT-23_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOT-23 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：3000圓盤 參數1：N溝道 參數2：VDSS/60.0V 參數3：ID/0.3A 參數4：RDON/1000.0mR 標價：歡迎咨詢

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