MMBF170-F_SOT-23_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOT-23 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：3000圓盤參數(shù)1：N溝道參數(shù)2：VDSS/60.0V 參數(shù)3：ID/0.3A 參數(shù)4：RDON/1000.0mR 標(biāo)價：歡迎咨詢

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產(chǎn)品介紹

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MMBF170-F 是一款N溝道MOSFET，采用緊湊型SOT-23封裝，專為現(xiàn)代電子產(chǎn)品的小型化設(shè)計打造。器件具有60V的高耐壓值(VDSS)，并能在系統(tǒng)中安全處理0.3A的連續(xù)漏極電流(ID)。其導(dǎo)通電阻僅為1000mR，有助于大幅度降低功耗，提升系統(tǒng)整體效能。廣泛應(yīng)用于電源轉(zhuǎn)換、電機驅(qū)動、開關(guān)電路等領(lǐng)域，是實現(xiàn)高效、節(jié)能電子方案的理想半導(dǎo)體元件。

企業(yè)聯(lián)系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業(yè)

聯(lián) 系人：連先生
聯(lián)系電話：13823583904
聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014

MMBF170-F_SOT-23_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOT-23 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：3000圓盤 參數(shù)1：N溝道 參數(shù)2：VDSS/60.0V 參數(shù)3：ID/0.3A 參數(shù)4：RDON/1000.0mR 標(biāo)價：歡迎咨詢

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品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOT-23 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：3000圓盤參數(shù)1：N溝道參數(shù)2：VDSS/60.0V 參數(shù)3：ID/0.3A 參數(shù)4：RDON/1000.0mR 標(biāo)價：歡迎咨詢