FDN308P_SOT-23_場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝：SOT-23 類別：場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：3000圓盤參數(shù)1：P溝道參數(shù)2：VDSS/20.0V 參數(shù)3：ID/3.0A 參數(shù)4：RDON/60.0mR 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢

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產(chǎn)品介紹

FDN308P 是一款P溝道MOSFET，采用小型化SOT-23封裝，專為高密度電子電路設(shè)計(jì)。其核心性能包括最大漏源電壓(VDSS)為20V，能穩(wěn)定輸出3A漏極電流(ID)，同時(shí)具有較低的60mΩ導(dǎo)通電阻(RD(on))，在低電壓、中等電流應(yīng)用中表現(xiàn)出色。這款MOS管適用于電源管理、負(fù)載開關(guān)控制、邏輯電平轉(zhuǎn)換等功能場(chǎng)景，是優(yōu)化系統(tǒng)效能和縮小產(chǎn)品體積的理想半導(dǎo)體元件。

企業(yè)聯(lián)系方式

深圳市華軒陽(yáng)電子有限公司

高新企業(yè)

聯(lián) 系人：連先生
聯(lián)系電話：13823583904
聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號(hào)鼎誠(chéng)國(guó)際大廈2013-2014

FDN308P_SOT-23_場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝：SOT-23 類別：場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：3000圓盤 參數(shù)1：P溝道 參數(shù)2：VDSS/20.0V 參數(shù)3：ID/3.0A 參數(shù)4：RDON/60.0mR 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢

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品牌：HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝：SOT-23 類別：場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：3000圓盤參數(shù)1：P溝道參數(shù)2：VDSS/20.0V 參數(shù)3：ID/3.0A 參數(shù)4：RDON/60.0mR 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢