DMN2046U_SOT-23_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOT-23 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：3000圓盤參數(shù)1：N溝道參數(shù)2：VDSS/20.0V 參數(shù)3：ID/6.0A 參數(shù)4：RDON/14.0mR 標價：歡迎咨詢

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產(chǎn)品介紹

DMN2046U 型號MOS管采用小型SOT-23封裝，內(nèi)部集成高效N溝道技術(shù)，專為優(yōu)化電路性能打造。該器件支持高達20V的漏源電壓(VDSS)，并能在滿載條件下穩(wěn)定提供6A的連續(xù)漏極電流(ID)，適應中小功率應用場景。憑借14mR的低導通電阻(RD(on))，它能有效降低能耗，提高系統(tǒng)效率。廣泛應用于電源轉(zhuǎn)換、負載開關(guān)控制及各類低壓電子設備的開關(guān)電路設計，是您提升產(chǎn)品性能的理想半導體器件。

企業(yè)聯(lián)系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業(yè)

聯(lián) 系人：連先生
聯(lián)系電話：13823583904
聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014

DMN2046U_SOT-23_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOT-23 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：3000圓盤 參數(shù)1：N溝道 參數(shù)2：VDSS/20.0V 參數(shù)3：ID/6.0A 參數(shù)4：RDON/14.0mR 標價：歡迎咨詢

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品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOT-23 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：3000圓盤參數(shù)1：N溝道參數(shù)2：VDSS/20.0V 參數(shù)3：ID/6.0A 參數(shù)4：RDON/14.0mR 標價：歡迎咨詢