IRLML6344PBF_SOT-23_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOT-23 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：3000圓盤參數(shù)1：N溝道參數(shù)2：VDSS/30.0V 參數(shù)3：ID/5.8A 參數(shù)4：RDON/28.0mR 標(biāo)價：歡迎咨詢

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產(chǎn)品介紹

IRLML6344PBF 是一款N溝道MOSFET，采用小型化無鉛SOT-23封裝，專為高效率、低功耗電路設(shè)計(jì)。器件具有30V的漏源電壓額定值(VDSS)，能夠承載最大5.8A的漏極電流(ID)，并配備出色的導(dǎo)通性能，導(dǎo)通電阻僅為28mR(RD(on))。廣泛應(yīng)用于開關(guān)電源轉(zhuǎn)換、電機(jī)驅(qū)動及各類高功率電子設(shè)備，這款MOS管憑借其卓越的電流處理能力和能效表現(xiàn)，成為電路設(shè)計(jì)的理想組件之一。

企業(yè)聯(lián)系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業(yè)

聯(lián) 系人：連先生
聯(lián)系電話：13823583904
聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014

IRLML6344PBF_SOT-23_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOT-23 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：3000圓盤 參數(shù)1：N溝道 參數(shù)2：VDSS/30.0V 參數(shù)3：ID/5.8A 參數(shù)4：RDON/28.0mR 標(biāo)價：歡迎咨詢

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品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOT-23 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：3000圓盤參數(shù)1：N溝道參數(shù)2：VDSS/30.0V 參數(shù)3：ID/5.8A 參數(shù)4：RDON/28.0mR 標(biāo)價：歡迎咨詢