Si2302DDS-T1-GE3_SOT-23_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOT-23 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：3000圓盤參數(shù)1：N溝道參數(shù)2：VDSS/20.0V 參數(shù)3：ID/2.3A 參數(shù)4：RDON/48.0mR 標價：歡迎咨詢

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產(chǎn)品介紹

Si2302DDS-T1-GE3 型號MOS管采用緊湊型SOT-23封裝，內(nèi)含尖端N溝道技術(shù)，專為優(yōu)化電路性能設(shè)計。器件支持20V的漏源電壓(VDSS)，可穩(wěn)定處理2.3A的連續(xù)漏極電流(ID)，適用各類中小功率應(yīng)用。其導(dǎo)通電阻僅為48mR(RD(on))，確保了低功耗和高效率運作。廣泛應(yīng)用于電源管理、負載開關(guān)及低壓電子設(shè)備的開關(guān)控制，是提升產(chǎn)品能效比和可靠性的重要半導(dǎo)體組件。

企業(yè)聯(lián)系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業(yè)

聯(lián) 系人：連先生
聯(lián)系電話：13823583904
聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014

Si2302DDS-T1-GE3_SOT-23_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOT-23 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：3000圓盤 參數(shù)1：N溝道 參數(shù)2：VDSS/20.0V 參數(shù)3：ID/2.3A 參數(shù)4：RDON/48.0mR 標價：歡迎咨詢

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品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOT-23 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：3000圓盤參數(shù)1：N溝道參數(shù)2：VDSS/20.0V 參數(shù)3：ID/2.3A 參數(shù)4：RDON/48.0mR 標價：歡迎咨詢