Si2306BDS-T1-GE3_SOT-23_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOT-23 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：3000圓盤參數(shù)1：N溝道參數(shù)2：VDSS/30.0V 參數(shù)3：ID/4.0A 參數(shù)4：RDON/29.0mR 標價：歡迎咨詢

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產(chǎn)品介紹

Si2306BDS-T1-GE3 是一款N溝道MOSFET，采用輕巧的SOT-23封裝，專為高集成度電路設(shè)計。器件提供30V的最大漏源電壓(VDSS)，并可承載4A的連續(xù)漏極電流(ID)，確保穩(wěn)定可靠的功率傳輸。其導(dǎo)通電阻(RD(on))僅為29mΩ，顯著降低系統(tǒng)功耗，提升整體能效。這款MOS管憑借優(yōu)秀的電氣性能，廣泛應(yīng)用于電源轉(zhuǎn)換、負載開關(guān)、馬達驅(qū)動等多種電子設(shè)備中，是緊湊且高效能半導(dǎo)體解決方案的理想選擇。

企業(yè)聯(lián)系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業(yè)

聯(lián) 系人：連先生
聯(lián)系電話：13823583904
聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014

Si2306BDS-T1-GE3_SOT-23_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOT-23 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：3000圓盤 參數(shù)1：N溝道 參數(shù)2：VDSS/30.0V 參數(shù)3：ID/4.0A 參數(shù)4：RDON/29.0mR 標價：歡迎咨詢

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品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOT-23 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：3000圓盤參數(shù)1：N溝道參數(shù)2：VDSS/30.0V 參數(shù)3：ID/4.0A 參數(shù)4：RDON/29.0mR 標價：歡迎咨詢