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Si2316BDS-T1-GE3_SOT-23_場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子)

品牌:HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝:SOT-23 類別:場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝:3000圓盤 參數(shù)1:N溝道 參數(shù)2:VDSS/30.0V 參數(shù)3:ID/4.0A 參數(shù)4:RDON/29.0mR 標(biāo)價(jià):歡迎咨詢

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產(chǎn)品介紹

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Si2316BDS-T1-GE3 是一款高效能N溝道MOSFET,采用緊湊型SOT-23封裝,專為現(xiàn)代微小化電子設(shè)計(jì)。其關(guān)鍵特性包括30V的最大漏源電壓(VDSS),能承載4A連續(xù)漏極電流(ID),確保強(qiáng)大的電流處理能力。導(dǎo)通電阻(RD(on))僅為29mΩ,有效減少功耗,提升系統(tǒng)能效比。這款MOS管廣泛應(yīng)用在電源轉(zhuǎn)換、負(fù)載開(kāi)關(guān)、電機(jī)驅(qū)動(dòng)等場(chǎng)景,以卓越的性能與穩(wěn)定性成為高集成度、低功耗解決方案的理想組件。



企業(yè)聯(lián)系方式
  • 深圳市華軒陽(yáng)電子有限公司
  • 高新企業(yè)

  • 聯(lián) 系 人:連先生
  • 聯(lián)系電話:13823583904
  • 聯(lián)系地址:深圳市福田區(qū)中航路7-1號(hào)鼎誠(chéng)國(guó)際大廈2013-2014
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