Si2316DS-T1-E3_SOT-23_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOT-23 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：3000圓盤參數1：N溝道參數2：VDSS/30.0V 參數3：ID/4.0A 參數4：RDON/29.0mR 標價：歡迎咨詢

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產品介紹

Si2316DS-T1-E3 是一款采用先進N溝道技術的MOS管，封裝小巧的SOT-23，尤其適合空間受限的設計需求。其電氣特性出色，具備30V的最大漏源電壓(VDSS)，并能承受4A的連續漏極電流(ID)，確保了強大的電流處理性能。而29mΩ的導通電阻(RD(on))使得器件在工作狀態下功耗更低，提升整體能效。這款MOS管廣泛應用于電源轉換、電機驅動、負載開關等場景，是高效、節能半導體解決方案的理想之選。

企業聯系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業

聯系人：連先生
聯系電話：13823583904
聯系地址：深圳市福田區中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014

Si2316DS-T1-E3_SOT-23_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOT-23 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：3000圓盤 參數1：N溝道 參數2：VDSS/30.0V 參數3：ID/4.0A 參數4：RDON/29.0mR 標價：歡迎咨詢

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