IRF8113PBF_SOP-8_場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝：SOP-8 類別：場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：3000圓盤參數(shù)1：N溝道參數(shù)2：VDSS/30.0V 參數(shù)3：ID/18.0A 參數(shù)4：RDON/5.0mR 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢

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產(chǎn)品介紹

IRF8113PBF 是一款N溝道MOSFET，采用了節(jié)省空間的SOP-8封裝，特別適應(yīng)現(xiàn)代電子產(chǎn)品的集成化需求。該器件可在30V的最大漏源電壓下穩(wěn)定運(yùn)行，提供高達(dá)18A的連續(xù)電流承載能力，表現(xiàn)出強(qiáng)勁的電力控制性能。此外，其優(yōu)異的導(dǎo)通電阻僅5.5mR，顯著提高了系統(tǒng)能效，降低了功耗，是電源轉(zhuǎn)換、電機(jī)驅(qū)動(dòng)等高電流應(yīng)用領(lǐng)域的可靠選擇。

企業(yè)聯(lián)系方式

深圳市華軒陽(yáng)電子有限公司

高新企業(yè)

聯(lián) 系人：連先生
聯(lián)系電話：13823583904
聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號(hào)鼎誠(chéng)國(guó)際大廈2013-2014

IRF8113PBF_SOP-8_場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝：SOP-8 類別：場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：3000圓盤 參數(shù)1：N溝道 參數(shù)2：VDSS/30.0V 參數(shù)3：ID/18.0A 參數(shù)4：RDON/5.0mR 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢

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品牌：HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝：SOP-8 類別：場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：3000圓盤參數(shù)1：N溝道參數(shù)2：VDSS/30.0V 參數(shù)3：ID/18.0A 參數(shù)4：RDON/5.0mR 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢