ZXMN3A06DN8_SOP-8_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOP-8 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：3000圓盤參數(shù)1：N+N溝道參數(shù)2：VDSS/30.0V 參數(shù)3：ID/6.0A 參數(shù)4：RDON/25.0mR 標(biāo)價：歡迎咨詢

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產(chǎn)品介紹

ZXMN3A06DN8 是一款高性能NN溝道MOSFET，采用緊湊型SOP-8封裝技術(shù)，專為現(xiàn)代電子設(shè)備提供高效能電流控制。其核心優(yōu)勢在于最大工作電壓VDSS高達(dá)30V，支持6A的連續(xù)漏極電流，確保卓越的電力傳輸能力；導(dǎo)通電阻RD(on)僅為25mΩ，有效降低功率損耗，提升系統(tǒng)整體能效。廣泛應(yīng)用于電源轉(zhuǎn)換、電機(jī)驅(qū)動、電池管理系統(tǒng)等場景，是您設(shè)計高集成度、節(jié)能電子產(chǎn)品的理想MOS管解決方案。

企業(yè)聯(lián)系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業(yè)

聯(lián) 系人：連先生
聯(lián)系電話：13823583904
聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014

ZXMN3A06DN8_SOP-8_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOP-8 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：3000圓盤 參數(shù)1：N+N溝道 參數(shù)2：VDSS/30.0V 參數(shù)3：ID/6.0A 參數(shù)4：RDON/25.0mR 標(biāo)價：歡迎咨詢

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品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOP-8 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：3000圓盤參數(shù)1：N+N溝道參數(shù)2：VDSS/30.0V 參數(shù)3：ID/6.0A 參數(shù)4：RDON/25.0mR 標(biāo)價：歡迎咨詢