SI4435DDY-T1-GE3_SOP-8_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOP-8 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：3000圓盤參數1：P溝道參數2：VDSS/30.0V 參數3：ID/9.0A 參數4：RDON/18.0mR 標價：歡迎咨詢

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產品介紹

SI4435DDY-T1-GE3 型號MOS管采用高效P溝道工藝，封裝于小巧的SOP-8封裝中，專為高集成度電路設計。在30V額定電壓VDSS下，該器件可輕松應對9A的連續漏極電流ID，且擁有出色的18mR導通電阻RD(on)，實現卓越的能效和低功耗表現。廣泛應用于電源管理、電機驅動等眾多場景，是優化系統性能和節能減排的理想半導體元件。

企業聯系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業

聯系人：連先生
聯系電話：13823583904
聯系地址：深圳市福田區中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014

SI4435DDY-T1-GE3_SOP-8_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOP-8 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：3000圓盤 參數1：P溝道 參數2：VDSS/30.0V 參數3：ID/9.0A 參數4：RDON/18.0mR 標價：歡迎咨詢

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