SI4202DY-T1-GE3_SOP-8_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOP-8 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：3000圓盤參數1：N+N溝道參數2：VDSS/30.0V 參數3：ID/11.5A 參數4：RDON/10.0mR 標價：歡迎咨詢

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產品介紹

SI4202DY-T1-GE3 是一款高端NN溝道MOSFET，采用小型化SOP-8封裝工藝，旨在滿足現代電子設備對高效、緊湊設計的需求。其核心技術參數包括耐受電壓VDSS高達30V，最大連續漏極電流ID為11.5A，充分展現強大的電力處理效能。特別強調的是，器件的導通電阻RD(on)僅為10mR，有助于大幅削減功耗，實現更高的能源利用效率。

企業聯系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業

聯系人：連先生
聯系電話：13823583904
聯系地址：深圳市福田區中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014

SI4202DY-T1-GE3_SOP-8_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOP-8 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：3000圓盤 參數1：N+N溝道 參數2：VDSS/30.0V 參數3：ID/11.5A 參數4：RDON/10.0mR 標價：歡迎咨詢

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品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOP-8 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：3000圓盤參數1：N+N溝道參數2：VDSS/30.0V 參數3：ID/11.5A 參數4：RDON/10.0mR 標價：歡迎咨詢